一种单晶炉及其保温筒提升装置
授权
摘要
本申请公开了一种保温筒提升装置，包括下表面具有凹槽的支撑体，用于支撑保温筒；通过凹槽与支撑体相连的L型连接体，且L型连接体具有贯穿厚度的槽孔，用于固定连接于主炉筒的内壁。保温筒提升装置中的支撑体置于支撑保温筒的底部支撑保温筒，L型连接体中水平部分通过凹槽与支撑体相连，垂直部分通过槽孔固定连接在主炉筒的内壁上，当主炉筒旋转、上升时，保温筒提升装置会带着保温筒一起旋转、上升，从而使得保温筒被取出，一方面，避免工人被烫伤，又可以避免人工对保温筒造成损伤，另一方面，保温筒随着主炉筒被提升取出，使得单晶炉内的热量快速散失，温度迅速降低，提高工作效率。此外，本申请还提供一种具有上述优点的单晶炉。
基本信息
专利标题 ：
一种单晶炉及其保温筒提升装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922092158.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-28
授权号 ：
CN211079400U
授权日 ：
2020-07-24
发明人 ：
汪沛渊张涛白枭龙杨俊欧子杨邓清香何丽珠金浩
申请人 ：
晶科能源有限公司;浙江晶科能源有限公司
申请人地址 ：
江西省上饶市经济开发区晶科大道1号
代理机构 ：
北京集佳知识产权代理有限公司
代理人 ：
田媛媛
优先权 ：
CN201922092158.7
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-07-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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