用于单晶炉中的距离测量装置及单晶炉
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于单晶炉中的距离测量装置和单晶炉,单晶炉包括炉体,炉体内限定出盛放空间,盛放空间内设置有坩埚,坩埚内承载有溶液,炉体上设置有距离测量装置,距离测量装置包括激光测距仪和原路反射器,激光测距仪和原路反射器分别设置在炉体的中心轴线的两侧;激光测距仪包括激光投射器和激光接收器,激光测距仪相对于炉体的中心轴线以一定的角度将第一投射线投射到溶液的表面上,并经溶液表面反射,形成反射线,反射线达到原路反射器后,原路反射器形成第二返回线将激光沿相同的路径再反射回激光测距仪中,被激光测距仪接收,并由此测量得到激光测距仪与原路反射器的距离。
基本信息
专利标题 :
用于单晶炉中的距离测量装置及单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN202121363376.0
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2021-06-19
授权号 :
CN216304032U
授权日 :
2022-04-15
发明人 :
黎志欣逯占文胡动力李军
申请人 :
连城凯克斯科技有限公司
申请人地址 :
江苏省无锡市锡山区锡北镇锡港路张泾东段209号
代理机构 :
南昌逸辰知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 :
刘林艳
优先权 :
CN202121363376.0
主分类号 :
C30B15/26
IPC分类号 :
C30B15/26 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
C30B15/22
被拉晶体附近熔融区的稳定化或形状控制;晶体截面的控制
C30B15/26
使用电视摄像机的;使用光检测器或X射线检测器的
法律状态
2022-04-15 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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