一种新型单晶炉组件
授权
摘要
本实用新型公开了单晶硅生产装置技术领域的一种新型单晶炉组件，包括外壳、顶板、内炉、主框、副框、底座和底架，所述外壳的顶部接触所述顶板，所述外壳的内部接触所述内炉，所述外壳的内腔左右侧壁通过螺栓固定连接有所述主框和副框，该种新型单晶炉组件，利用整体外壳内置的方式，使底座和底架对内炉进行支撑，内炉被主框和副框的接触板固定后，保持稳定，通过旋转带有空腔的转盘带动顶板下移对槽口进行密封，使夹头对籽晶进行夹取的同时，保证内炉的整体内置，在同等温度下有效提高内炉的温度，内部环境保温性好，节能环保，也有效降低内炉与外部的接触面积，使外部氧含量的干扰情况降低，单晶硅形成环境趋于稳定，以达到提升品质目的。
基本信息
专利标题 ：
一种新型单晶炉组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921147187.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-22
授权号 ：
CN210287577U
授权日 ：
2020-04-10
发明人 ：
钱拓陈林军
申请人 ：
新疆晶科能源有限公司
申请人地址 ：
新疆维吾尔自治区伊犁哈萨克自治州新源县工业园区A区
代理机构 ：
北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
孟阿妮
优先权 ：
CN201921147187.2
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-04-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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