一种用于提高光电转换率的单晶硅片
授权
摘要
本实用新型涉及单晶硅加工技术领域，且公开了一种用于提高光电转换率的单晶硅片，包括外框，外框底部一侧固定有垫板，垫板上方架设有硅片基体，硅片基体外壁与外框挤压接触，外框顶部对称地安装有具有转动锁定结构的反射调节组件，通过反射调节组件增加照射到硅片基体的光强以增加光电转换率。本实用新型在硅片基体上表面等距地开设有半圆形槽，利用表面的刻蚀处理增加硅片基体表面的不平整度，减少光的反射，增加吸收，提高光学转换率，另外合理利用反射调节组件，根据装置整体安装的位置来通过手柄转动调节反射镜的转角，使得阳光在照射时尽可能地通过反射镜反射到硅片基体表面，增加光学转换率。
基本信息
专利标题 ：
一种用于提高光电转换率的单晶硅片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122476785.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-14
授权号 ：
CN216488082U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
霍育强
申请人 ：
池州首开新材料有限公司
申请人地址 ：
安徽省池州市江南产业集中区新材料产业园11#厂房
代理机构 ：
合肥律通专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
郑松林
优先权 ：
CN202122476785.8
主分类号 ：
H01L31/0236
IPC分类号 ：
H01L31/0236 H01L31/054
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
