一种提高光能利用率的单晶硅片
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摘要
本实用新型公开了一种提高光能利用率的单晶硅片，包括单晶硅片本体、双层氮化硅减反射层、刻蚀绒面结构层、防腐蚀结构和N型单晶硅片，所述单晶硅片本体的外壁上设置有防腐蚀结构，所述单晶硅片本体的内部设置有N型单晶硅片，且N型单晶硅片的底端设置有硅片底面，硅片底面的平面结构，所述N型单晶硅片上方的单晶硅片本体内部设置有P型单晶硅片，且P型单晶硅片和N型单晶硅片之间设置有导通区，所述N型单晶硅片两侧的外壁上皆固定有下电极，且下电极上方的P型单晶硅片外壁上固定有上电极。本实用新型不仅提高光能的利用率，减少了硅片的腐化、延长了硅片的使用寿命，而且提高了多组单晶硅片本体连接时的便捷性。
基本信息
专利标题 ：
一种提高光能利用率的单晶硅片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021540445.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-07-30
授权号 ：
CN212907755U
授权日 ：
2021-04-06
发明人 ：
郑文广
申请人 ：
深圳市百度微半导体有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市福田区华强北街道振中路新亚洲电子城1F024
代理机构 ：
深圳市恒程创新知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵爱蓉
优先权 ：
CN202021540445.6
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/054 H01L31/0236 H01L31/0288 H01L31/048 H01L31/0224 H01L31/05
法律状态
2021-04-06 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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