准确定位引晶埚位及等径GAP的装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要

本实用新型公开了一种准确定位引晶埚位及等径GAP的装置,属于单晶硅生产设备技术领域。包括导流筒及设置于导流筒上的定位组件,定位组件的一端可转动连接导流筒,另一端从导流筒的底端伸出。化料完成、温度稳定时,上升坩埚,使硅液面接触定位组件的下端,根据引晶工艺设定GAP,下降坩埚一定的距离,即为引晶埚位,等径时根据定位组件的下端到液面的距离判断等径GAP,因定位组件距离液面位置近,从而实现能够准确直观的判断等径GAP。当定位组件受到外力干扰时,定位组件沿导流筒转动,起到缓冲作用,防止定位组件变形损坏,当外力干扰消失,定位组件沿导流筒转动,自动回位,防止定位组件位移,造成引晶锅位或等径GAP定位不准确。

基本信息
专利标题 :
准确定位引晶埚位及等径GAP的装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201920964521.7
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-06-25
授权号 :
CN210104125U
授权日 :
2020-02-21
发明人 :
梁万亮马国忠丁亚国顾燕滨河野贵之
申请人 :
宁夏银和新能源科技有限公司
申请人地址 :
宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
代理机构 :
宁夏合天律师事务所
代理人 :
郑重
优先权 :
CN201920964521.7
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2021-10-01 :
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/20
变更事项 : 专利权人
变更前 : 宁夏富乐德石英材料有限公司
变更后 : 宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
变更后 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
2021-02-02 :
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C30B 15/20
登记生效日 : 20210121
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 宁夏银和新能源科技有限公司
变更后权利人 : 宁夏富乐德石英材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路25号
变更后权利人 : 750021 宁夏回族自治区银川市西夏区光明西路23号
2020-02-21 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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