一种单晶炉拉晶定埚位的精准确定方法
实质审查的生效
摘要

本发明公开了一种单晶炉拉晶定埚位的精准确定方法,涉及单晶炉技术领域。本发明拉晶定埚位的精准确定方法包括引晶定埚位的确定方法和转肩时埚跟比的确定方法;引晶定埚位的确定方法包括:第一步:确定石英坩埚的内径和外径;第二步:制造一测量辅助盘,且测量辅助盘由固定盘和定位盘组成,固定盘的直径为石英坩埚的外径加上1cm。本发明通过测量辅助盘和石英坩埚的配合,使得装置在使用时能够通过测量辅助盘辅助确定拉晶时引晶步骤的埚位位置,能够通过确定的距离数值来持续加工,且通过对拉晶中转肩步骤结尾时的埚升曲线进行判断,并通过坐标计算公式确认其埚跟比坐标,以及通过公式计算出埚升的正确速度来纠正埚升曲线错误。

基本信息
专利标题 :
一种单晶炉拉晶定埚位的精准确定方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114438586A
申请号 :
CN202210091222.3
公开(公告)日 :
2022-05-06
申请日 :
2022-01-26
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
杨昊温成杨阳李向宇
申请人 :
弘元新材料(包头)有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区包头市青山区装备制造产业园区新规划区园区南路1号
代理机构 :
北京睿博行远知识产权代理有限公司
代理人 :
王建文
优先权 :
CN202210091222.3
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20  C30B29/06  
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-05-24 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20220126
2022-05-06 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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