一种快速确定稳温埚位单晶炉
授权
摘要
本实用新型提供一种快速确定稳温埚位单晶炉,包括炉盖和炉体,在炉盖外壁设有CCD摄像机,在炉体内部设有导流筒、石英坩埚和籽晶,在炉体外侧设有与CCD摄像机电连接的显示器,CCD摄像机置于导流筒斜上方一侧,在炉盖外壁设有用于固定所述CCD摄像机的固定装置,固定装置并行于炉盖外壁并使CCD摄像机垂直于炉盖外壁设置;籽晶和导流筒投影同轴置于显示器图形界面内并形成几何图形,石英坩埚内硅液面投影置于籽晶和导流筒投影之间并远离籽晶投影一侧设置;籽晶投影与显示器图形界面中心重合。本实用新型可快速找到稳温埚位的位置,精准度高且适普性强,不仅能保证单晶生长稳定而且还降低单晶晶线断棱次数,提高生产效率,保证产品质量。
基本信息
专利标题 :
一种快速确定稳温埚位单晶炉
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN201922419661.9
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2019-12-27
授权号 :
CN211713247U
授权日 :
2020-10-20
发明人 :
刘有益杨志许建陈培杰王建平周泽郭志荣
申请人 :
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 :
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 :
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 :
栾志超
优先权 :
CN201922419661.9
主分类号 :
C30B15/20
IPC分类号 :
C30B15/20 C30B29/06
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长,例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2020-10-20 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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