一种拉晶炉
授权
摘要
本实用新型实施例提供一种拉晶炉，包括：炉体，炉体内限定有腔室，炉体的顶部设有与腔室连通的拉晶口；设在支撑件上的坩埚，坩埚和支撑件位于腔室中；套设在坩埚的外周的保温罩，保温罩的底端与炉体的底壁内侧相连，保温罩的上端与炉体的顶壁内侧间隔开，保温罩与炉体的侧壁间隔开设置以限定出导气通道，炉体的侧壁上设有排气口，排气口与导气通道连通；导流结构设置于导气通道中，导流结构套设在保温罩的外侧。在导气通道中设置导流结构能够引导气流在导气通道中流动，延长气流的流动路径，使得气流中的挥发物沉积在导流结构上，减少挥发物沉积在炉壁上，避免挥发物沉积在管道和真空泵中导致堵塞管道和真空泵的过滤网或污染真空泵油。
基本信息
专利标题 ：
一种拉晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020839889.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-05-19
授权号 ：
CN212103059U
授权日 ：
2020-12-08
发明人 ：
杨帅军雷卫娜
申请人 ：
西安奕斯伟硅片技术有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市高新区锦业路1号都市之门A座1323室
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡影
优先权 ：
CN202020839889.3
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-12-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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