一种半导体级直拉复投筒
授权
摘要
本实用新型提供一种半导体级直拉复投筒，包括筒本体、钼杆和置于所述筒本体下端的主石英伞，在所述钼杆上且位于所述主石英伞上方还设有副石英伞；所述主石英伞上还设有用于隔离钼杆和硅料并贯穿所述副石英伞设置的石英筒；所述筒本体上端面设有用于调节所述主石英伞和所述副石英伞升降位置的定位组件。本实用新型复投筒，缓冲硅料的下落速度，降低硅料对主石英伞的冲击，降低硅料飞溅的风险；固定下降距离，以调整复投筒开伞高度和下料速度；防止钼杆直接与硅料接触，保证进入复投筒内硅料的纯度，提升直拉单晶品质；提高复投筒强度，延长其使用寿命，降低复投筒制备成本。
基本信息
专利标题 ：
一种半导体级直拉复投筒
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021696656.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-08-14
授权号 ：
CN212865063U
授权日 ：
2021-04-02
发明人 ：
袁长宏娄中士李鹏飞田旭东马飞田宇翔常瑞新
申请人 ：
内蒙古中环领先半导体材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202021696656.9
主分类号 ：
C30B15/02
IPC分类号 ：
C30B15/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/02
向熔融液中添加结晶化材料或添加反应过程中就地生成结晶化材料之反应物的
法律状态
2021-04-02 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
