一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置
授权
摘要
本实用新型涉及单晶炉技术领域，且公开了一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置，包括主体和支撑杆，所述主体的顶部固定连接有出口，所述出口的右侧固定连接有升降杆，所述支撑杆的顶部固定连接有支撑板，所述支撑板的顶部固定连接有电机支撑板，所述电机支撑板的顶部固定连接有伺服电机，所述伺服电机的输出轴处固定连接有贯穿于支撑板并延伸至支撑板底部的螺纹刻度杆。该直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置，通过设置支撑杆和支撑杆顶部的支撑板来放置电机支撑板，通过电机支撑板顶部的伺服电机为装置的运行提供动力，又通过设置伺服电机输出轴处的螺纹刻度杆来为与升降杆转动连接，从而达到升降杆上下移动的目的。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉法单晶炉用副炉室加高筒装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020107532.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211522369U
授权日 ：
2020-09-18
发明人 ：
邵化水张会现洪东旭李志强边恒军刘启铎王营涛
申请人 ：
杞县东磁新能源有限公司
申请人地址 ：
河南省开封市杞县葛岗镇楚寨村
代理机构 ：
北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
何东明
优先权 ：
CN202020107532.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-09-18 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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