一种新型单晶复投桶
授权
摘要
本实用新型提供一种新型单晶复投桶，包括石英桶扩径口、底座和提升杆，所述石英桶扩径口与石英桶下端连接；所述底座设置于所述石英桶内；所述提升杆底端与所述底座顶部连接，所述提升杆顶端设置有相对于所述石英桶内部可相对升降的机构。本实用新型通过对复投桶的底部进行改进，在复投的过程中改变下料的方向，将散射下料方向改变为竖直向下的下料方向，有效的减少复投溅硅，提高成晶率。
基本信息
专利标题 ：
一种新型单晶复投桶
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921986597.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-18
授权号 ：
CN211367798U
授权日 ：
2020-08-28
发明人 ：
韩凯张文霞武志军郭谦霍志强郭志荣张石晶王胜利赵志远白大伟钟旭
申请人 ：
内蒙古中环光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区宝力尔街15号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921986597.6
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2020-08-28 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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