一种直拉单晶硅炉热场的三相交流加热器及其加热方法
授权
摘要
本发明属于直拉单晶炉热场技术领域，具体的说是一种直拉单晶硅炉热场的三相交流加热器及其加热方法，包括加热器本体和连接环，所述加热器本体包括三个弧形加热板，且三个弧形加热板能够拼接成完整的圆筒，所述弧形加热板的底部固连有引脚，所述弧形加热板底部两侧位置均开设有插槽。本发明通过设有推动装置，当坩埚长期使用发生变形或对中跑偏，以及受热膨胀时，坩埚的外壁会与推动装置接触，从而使得推动装置带动其两侧的偏转装置进行工作，当偏转装置工作时，弧形加热板在偏转装置的作用下向远离坩埚的方向运动，从而使得弧形加热板与坩埚之间的距离始终能够保持不变，进而避免了弧形加热板因坩埚的挤压而损坏。
基本信息
专利标题 ：
一种直拉单晶硅炉热场的三相交流加热器及其加热方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113737272A
申请号 ：
CN202110941930.7
公开（公告）日 ：
2021-12-03
申请日 ：
2021-08-17
授权号 ：
CN113737272B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
潘金平肖世豪沈益军张立安饶伟星王伟棱郑春松冯小娟苏文霞
申请人 ：
浙江海纳半导体有限公司
申请人地址 ：
浙江省衢州市开化县华埠镇万向路5号
代理机构 ：
温州青科专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
钱磊
优先权 ：
CN202110941930.7
主分类号 ：
C30B15/14
IPC分类号 ：
C30B15/14 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/14
熔融液或已结晶化材料的加热
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2021-12-21 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/14
申请日 : 20210817
申请日 : 20210817
2021-12-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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