一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法，在等径工序中，所采用的工艺为：(1)等径前期，炉室压力由70‑90Torr升到180‑220Torr；(2)等径中期，炉室压力维持在等径前期升至的高压不变；(3)等径后期，炉室压力由所述高压降到120‑150Torr；在整个等径过程中，晶体拉速以每毫米等径长度下降0.01‑0.2mm/hr的速度下降，在整个等径过程中，晶体拉速由55‑60mm/hr降至20‑25mm/hr。本发明通过控制晶体的拉速和炉室压力，能够克服等径后期因分凝导致杂质浓度过大出现位错的现象，从而获得无位错的完整单晶。
基本信息
专利标题 ：
一种重掺磷超低阻硅单晶的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318508A
申请号 ：
CN202111594443.4
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王万华李英涛王凯磊皮小争方峰崔彬
申请人 ：
山东有研半导体材料有限公司;有研半导体硅材料股份公司
申请人地址 ：
山东省德州市经济技术开发区袁桥镇东方红东路6596号（中元科技创新创业园）A座921室
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘秀青
优先权 ：
CN202111594443.4
主分类号 ：
C30B15/20
IPC分类号 ：
C30B15/20 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/20
控制或调节
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/20
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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