一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置，方法是：在单晶炉晶体停止加热后，向单晶炉室内通入空气，所述的装置包括三通管、管道、阀门和流量计。本发明的优点是：本方法和设备简单，操作方便，可清除在晶体生长期间，在炉室及真空管道的内表面上沉结的大量SiO(又称挥发物)，防止在拉制晶体结束后，清理炉室时，遇到空气时，发生燃烧甚至爆炸。
基本信息
专利标题 ：
一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1990917A
申请号 ：
CN200510132574.5
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
戴小林吴志强韩秋雨姜舰周旗钢张果虎
申请人 ：
北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭佩兰
优先权 ：
CN200510132574.5
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-09 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2015-07-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717135655
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150610
号牌文件序号 : 101717135655
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150610
2014-06-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702247871
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
号牌文件序号 : 101702247871
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
2012-03-14 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101296520859
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120129
号牌文件序号 : 101296520859
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL2005101325745
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120129
2009-12-23 ：
专利实施许可合同的备案
合同备案号 : 2009990000923
让与人 : 北京有色金属研究总院|有研半导体材料股份有限公司
受让人 : 国泰半导体材料有限公司
发明名称 : 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080903
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2009.8.17
合同履行期限 : 2009.8.13至2015.8.13合同变更
让与人 : 北京有色金属研究总院|有研半导体材料股份有限公司
受让人 : 国泰半导体材料有限公司
发明名称 : 一种清除直拉硅单晶炉内SiO的方法及装置
申请日 : 20051226
授权公告日 : 20080903
许可种类 : 独占许可
备案日期 : 2009.8.17
合同履行期限 : 2009.8.13至2015.8.13合同变更
2008-09-03 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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