一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
摘要
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉，所述的方法是将炉内气体从位于热场上方侧壁的排气孔排出的方法；所述的单晶炉包括：石英坩埚、石墨坩埚、加热器、保温材料、金属筒、筒盖、热屏，其特征在于：在金属筒筒体的上部连接一带排气孔的上筒体。本发明的优点是：硅单晶生长过程中多晶硅和石英坩埚产生的挥发物SiO的流向不再经过加热器和石墨坩埚，增加了热场部件等的寿命，同时该装置便于清扫，增加了效率。
基本信息
专利标题 ：
一种提高直拉硅单晶炉热场部件寿命的方法及单晶炉
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1990918A
申请号 ：
CN200510132575.X
公开（公告）日 ：
2007-07-04
申请日 ：
2005-12-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴志强戴小林任雨昆姜舰周旗钢张果虎
申请人 ：
北京有色金属研究总院;有研半导体材料股份有限公司
申请人地址 ：
100088北京市新街口外大街2号
代理机构 ：
北京北新智诚知识产权代理有限公司
代理人 ：
郭佩兰
优先权 ：
CN200510132575.X
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 F27B14/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2021-07-09 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C30B 15/00
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料有限公司
变更后 : 有研半导体硅材料股份公司
变更事项 : 地址
变更前 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
变更后 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
2015-07-08 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101717294351
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150615
号牌文件序号 : 101717294351
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 有研新材料股份有限公司
变更后权利人 : 有研半导体材料有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 101300 北京市顺义区林河工业开发区双河路南侧
登记生效日 : 20150615
2014-06-25 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
变更事项 : 专利权人
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702243759
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
变更前 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后 : 有研新材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后 : 100088 北京市新街口外大街2号
号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101702243759
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
2012-03-07 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101292927231
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120118
号牌文件序号 : 101292927231
IPC(主分类) : C30B 15/00
专利号 : ZL200510132575X
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 北京有色金属研究总院
变更后权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更后权利人 : 100088 北京市新街口外大街2号
变更事项 : 共同专利权人
变更前权利人 : 有研半导体材料股份有限公司
变更后权利人 : 无
登记生效日 : 20120118
2008-09-03 ：
授权
2007-08-29 ：
实质审查的生效
2007-07-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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