一种多晶硅锭碳氧含量控制装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种多晶硅锭碳氧含量控制装置，属于碳氧含量控制设备技术领域，包括晶体生长炉体、放置架和炉盖，所述晶体生长炉体内腔安装有放置架，所述晶体生长炉体顶部表面安装有炉盖，且炉盖一端通过铰链与晶体生长炉体活动相连，所述晶体生长炉体一侧表面固定连接有进气管，所述进气管一端串接有流量传感器，所述进气管另一端串接连接有压力传感器，所述晶体生长炉体底部固定连接有排气管，所述晶体生长炉体底部一侧安装有真空泵，且真空泵输入端与排气管末端相连。本实用新型通过选用高纯度的材料的石英坩埚，以减少氧元素的进入，并且通过控制流入晶体生长炉体内的氩气流量，进一步的控制晶体中的氧碳含量。
基本信息
专利标题 ：
一种多晶硅锭碳氧含量控制装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920907911.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-17
授权号 ：
CN210826440U
授权日 ：
2020-06-23
发明人 ：
吴春林
申请人 ：
浙江鹏展新能源科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市嘉善县惠民街道台升大道1号17号楼
代理机构 ：
嘉兴启帆专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
廖银洪
优先权 ：
CN201920907911.0
主分类号 ：
C30B27/02
IPC分类号 ：
C30B27/02 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B27/00
保护流体下的单晶生长
C30B27/02
自熔融液的提拉法
法律状态
2020-06-23 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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