硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明包括以下步骤：硅基片用丙酮、乙醇、去离子水依次清洗，干燥后置于真空室内的硅板加热器上；抽真空至4×10－4～4×10－5Pa后，硅板加热器升温至650～850℃，且真空度保持在4×10－4pa～4×10－5Pa；充入氧气，流动氧压保持在5～80Pa；1～2J/cm2的准分子激光以2～5Hz的频率轰击La0.67Ba0.33MnO3靶材3000～25000个脉冲；总脉冲数分3～6次输出，每次输出500～5000个脉冲，间隔3～10分钟；然后硅板加热器以3～20℃/min升至750～900℃，氧压保持在300～1×105Pa，保温1～12小时后将硅板温度分3个阶段降至室温。本发明未使用缓冲层，薄膜居里温度达到296～298K，275K时的TCR高于9％K－1，290K时的TCR为6％K－1；工艺简单，周期短，成本低，薄膜择优生长，结晶形态好。
基本信息
专利标题 ：
硅基片上制备镧钡锰氧功能薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1752268A
申请号 ：
CN200510115765.0
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-11-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
蒋毅坚常雷龚小南
申请人 ：
北京工业大学
申请人地址 ：
100022北京市朝阳区平乐园100号
代理机构 ：
北京思海天达知识产权代理有限公司
代理人 ：
张慧
优先权 ：
CN200510115765.0
主分类号 ：
C23C14/00
IPC分类号 ：
C23C14/00 C23C14/28 C23C14/02 C23C14/08 C23C14/54
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
法律状态
2017-01-11 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101696011735
IPC(主分类) : C23C 14/00
专利号 : ZL2005101157650
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20151111
号牌文件序号 : 101696011735
IPC(主分类) : C23C 14/00
专利号 : ZL2005101157650
申请日 : 20051111
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20151111
2008-01-30 ：
授权
2006-05-24 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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