一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法，原料配方包括硅粉、氮化硅粉稀释剂和氧含量调控剂，原料经过称重配料、研磨混匀、装料后，通过燃烧合成法或硅粉氮化工艺制备氮化硅粉体，所采用的硅粉原料的含氧量2％～10％，属于高含氧量硅粉，采用氧含量调控剂为卤化铵，所得到的产物氮化硅陶瓷粉体的氧含量控制在2％以下，与采用高纯硅粉的效果相同，大大降低了合成高品质氮化硅粉体的生产成本，具有重要的经济价值。
基本信息
专利标题 ：
一种以高氧含量硅粉为原料制备高纯氮化硅粉体的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114409414A
申请号 ：
CN202011168312.5
公开（公告）日 ：
2022-04-29
申请日 ：
2020-10-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
贺刚王良杨增朝李江涛
申请人 ：
中国科学院理化技术研究所
申请人地址 ：
北京市海淀区中关村东路29号
代理机构 ：
北京正理专利代理有限公司
代理人 ：
赵晓丹
优先权 ：
CN202011168312.5
主分类号 ：
C04B35/591
IPC分类号 ：
C04B35/591 C04B35/626
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C04
水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B
石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷；耐火材料；天然石的处理
C04B35/00
以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物；准备制造陶瓷制品的无机化合物的加工粉末
C04B35/515
以非氧化物为基料的
C04B35/58
以硼化物、氮化物或硅化物为基料的
C04B35/584
以氮化硅为基料的
C04B35/587
精细陶瓷
C04B35/591
用反应烧结获得的
法律状态
2022-05-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C04B 35/591
申请日 : 20201028
申请日 : 20201028
2022-04-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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