氨解法制备高纯氮化硅粉体方法

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摘要

本发明提供氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，涉及氮化硅制备领域。该氨解法制备高纯氮化硅粉体方法，包括以下内容，向反应容器中加入溶剂和四氯化硅，控制容器中的温度和压器，并向溶剂中融入液氨，并减小容器中的压强，使得液氨气化沸腾，扰动整个反应体系，获得氮化硅前驱体，接着将硅前驱体灼烧、粉碎和焙烧处理，获得氮化硅。通过将反应物充分接触，氮化硅前驱体生成效率高，且氮化硅前驱体的颗粒大小可以通过溶剂量和液氨通入气化的速度控制，利于对最终产品氮化硅粒度的控制。

基本信息

专利标题：

氨解法制备高纯氮化硅粉体方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113148966A

申请号：

CN202110424082.2

公开（公告）日：

2021-07-23

申请日：

2021-04-20

授权号：

CN113148966B

授权日：

2022-04-29

发明人：

许立信刘岳韩召万超

申请人：

安徽工业大学

申请人地址：

安徽省马鞍山市湖东路59号

代理机构：

北京化育知识产权代理有限公司

代理人：

秦丽

优先权：

CN202110424082.2

主分类号：

C01B21/068

IPC分类号：

C01B21/068