高纯氮化镓粉体生产制备技术及方法
公开
摘要
一种低温快速高纯度单一晶体结构的氮化镓纳米粉末的制备方法，通过在管式反应器中在受控的条件下结合高纯氧化镓或者氯化镓和高纯氨制备高质量GaN粉末的方法。在受控的条件下，高纯氨和氧化镓或者氯化镓，再催化剂作用下，再低于1000℃温度下，整个反应能够2小时内完成，反应制备了单一晶体氮化镓粉末，而且的高纯结晶GaN粉末。
基本信息
专利标题 ：
高纯氮化镓粉体生产制备技术及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114368732A
申请号 ：
CN202110191995.4
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-02-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
周曦东刘兰英
申请人 ：
北京纳斯特克纳米科技有限责任公司
申请人地址 ：
北京市房山区东风街道燕山站1号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202110191995.4
主分类号 ：
C01B21/06
IPC分类号 ：
C01B21/06 C30B29/40 C30B35/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B21/00
氮；其化合物
C01B21/06
氮与金属、硅或硼的二元化合物
法律状态
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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