一种破碎制作高纯低氧硅粉的装置及其方法
授权
摘要
本发明提供一种破碎制作高纯低氧硅粉的装置及其方法，所述装置包括加压组件、制氮组件以及破碎组件；所述制氮组件与所述加压组件通过管路相连；所述破碎组件与所述加压组件通过循环管路相连。所述方法制备得到的硅粉的氧含量极低，可满足低氧高纯WSi的使用。
基本信息
专利标题 ：
一种破碎制作高纯低氧硅粉的装置及其方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112295717A
申请号 ：
CN202011097999.8
公开（公告）日 ：
2021-02-02
申请日 ：
2020-10-14
授权号 ：
CN112295717B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
姚力军边逸军潘杰王学泽李岢
申请人 ：
宁波江丰电子材料股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市余姚市经济开发区名邦科技工业园区安山路
代理机构 ：
北京远智汇知识产权代理有限公司
代理人 ：
王岩
优先权 ：
CN202011097999.8
主分类号 ：
B02C23/24
IPC分类号 ：
B02C23/24 B02C23/00
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B02
破碎、磨粉或粉碎；谷物碾磨的预处理
B02C
一般破碎、研磨或粉碎；碾磨谷物
B02C23/00
辅助方法或辅助装置或附件——未包含B02C1/00至B02C21/00组中的专门适用于破碎或粉碎的，或者不是专门适用于仅包含在B02C1/00至B02C21/00某一组中的装置的
B02C23/18
附加流体，不是用流体能量进行破碎或粉碎
B02C23/24
气体通过破碎或粉碎区的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B02C 23/24
申请日 : 20201014
申请日 : 20201014
2021-02-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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