高纯粒状硅及其制造方法
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摘要
本发明公开了高纯半导体级粒状硅合成物及其制造方法。通过在第一化学气相沉积(CVD)反应器中在硅晶种上沉积硅，由此使晶种生长成较大的二级晶种，可以制造商业量的粒状硅。在第二CVD反应器中在二级晶种上沉积另外的硅。在第三反应器中减少粉尘。本文所公开的方法可实现比传统实践更高的生产量和更好的收率。
基本信息
专利标题 ：
高纯粒状硅及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101076493A
申请号 ：
CN200580038841.0
公开（公告）日 ：
2007-11-21
申请日 ：
2005-11-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·伊布拉希姆M·G·艾维T·D·特鲁昂
申请人 ：
MEMC电子材料有限公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
北京市中咨律师事务所
代理人 ：
林柏楠
优先权 ：
CN200580038841.0
主分类号 ：
C01B33/02
IPC分类号 ：
C01B33/02 C01B33/027 C23C16/24 C23C16/44
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C01
无机化学
C01B
非金属元素；其化合物
C01B33/00
硅; 其化合物
C01B33/02
硅
法律状态
2019-01-01 ：
专利权人的姓名或者名称、地址的变更
IPC(主分类) : C01B 33/02
变更事项 : 专利权人
变更前 : MEMC电子材料有限公司
变更后 : 爱迪生太阳能公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国密苏里州
变更后 : 美国密苏里州
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变更前 : MEMC电子材料有限公司
变更后 : 爱迪生太阳能公司
变更事项 : 地址
变更前 : 美国密苏里州
变更后 : 美国密苏里州
2019-01-01 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : C01B 33/02
登记生效日 : 20181213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 爱迪生太阳能公司
变更后权利人 : 各星有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国密苏里州
变更后权利人 : 中国香港九龙柯士甸道西1号环球贸易广场17楼
登记生效日 : 20181213
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 爱迪生太阳能公司
变更后权利人 : 各星有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国密苏里州
变更后权利人 : 中国香港九龙柯士甸道西1号环球贸易广场17楼
2010-05-05 ：
授权
2008-01-16 ：
实质审查的生效
2007-11-21 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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