用于形成具有自对准互连件的微电子装置的方法及相关装置及系...
公开
摘要
用于形成微电子装置的方法包含形成与下导电结构及上导电结构两者自对准的互连件。互连件的至少一个横向尺寸是在减成图案化所述下导电结构以及第一牺牲材料时界定。所述互连件的至少另一横向尺寸是通过图案化第二牺牲材料而界定，或由形成于电介质材料中的开口界定，所述互连件将延伸通过所述开口。移除且用导电材料替换在通过所述电介质材料的所述开口内暴露的所述第一牺牲材料的一部分以及所述第二牺牲材料，以一体地形成所述互连件及所述上导电结构。所述互连件占据所述下导电结构与所述上导电结构的垂直重叠区域之间的体积，其中此类重叠区域与通过所述电介质材料的所述开口重合。
基本信息
专利标题 ：
用于形成具有自对准互连件的微电子装置的方法及相关装置及系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114586142A
申请号 ：
CN202080071795.9
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2020-09-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·W·鲁塞尔F·佩里兹L·弗拉汀
申请人 ：
美光科技公司
申请人地址 ：
美国爱达荷州
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
王龙
优先权 ：
CN202080071795.9
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/522
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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