对准互补衍射图案对的方法及相关联的量测方法和装置
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摘要

公开了一种对准互补衍射图案对的方法,该互补衍射图案对包括第一互补衍射图案和第二互补衍射图案,该互补衍射图案对通过对由光刻过程形成的结构执行量测过程而获得。该方法包括:至少执行精细对准阶段,以对准互补衍射图案对。对准阶段包括:对检测器区域的至少一部分上的第一互补衍射图案的测量值进行内插;以及通过第二互补衍射图案的平移和旋转中的一者或两者,使第二互补衍射图案中的测量值与来自第一互补衍射图案的内插的对应内插值之间的残差最小化。还公开了一种使用对准方法来测量结构的感兴趣参数的方法及相关联的量测装置。

基本信息
专利标题 :
对准互补衍射图案对的方法及相关联的量测方法和装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111095114A
申请号 :
CN201880059407.8
公开(公告)日 :
2020-05-01
申请日 :
2018-08-03
授权号 :
CN111095114B
授权日 :
2022-04-22
发明人 :
N·盖佩恩
申请人 :
ASML荷兰有限公司
申请人地址 :
荷兰维德霍温
代理机构 :
北京市金杜律师事务所
代理人 :
郑振
优先权 :
CN201880059407.8
主分类号 :
G03F7/20
IPC分类号 :
G03F7/20  
IPC结构图谱
G
G部——物理
G03
摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F
图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F7/00
图纹面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工艺;图纹面照相制版用的材料,如:含光致抗蚀剂的材料;图纹面照相制版的专用设备
G03F7/20
曝光及其设备
法律状态
2022-04-22 :
授权
2020-05-29 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : G03F 7/20
申请日 : 20180803
2020-05-01 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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