芯片上直通本体过孔电容器及其形成技术
授权
摘要
公开了用于使用直通本体过孔（TBV）提供芯片上电容的技术。根据一些实施例，可以在半导体层内形成TBV，并且可以在TBV和周围半导体层之间形成电介质层。TBV可以用作TBV电容器的一个电极（例如阳极），并且电介质层可以用作该TBV电容器的电介质本体。在一些实施例中，半导体层用作TBV电容器的另一电极（例如，阴极）。为此，在一些实施例中，整个半导体层可以包括低电阻率材料，而在一些其他实施例中，可以仅沿着TBV局部的侧壁提供（一个或多个）低电阻率区，例如通过在那些（一个或多个）位置中进行的选择性掺杂。在其他实施例中，形成在电介质层和半导体层之间的传导层用作TBV电容器的另一电极（例如，阴极）。
基本信息
专利标题 ：
芯片上直通本体过孔电容器及其形成技术
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107810553A
申请号 ：
CN201580081137.7
公开（公告）日 ：
2018-03-16
申请日 ：
2015-06-22
授权号 ：
CN107810553B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
陈轶伟K.福亚N.尼德希林睿彥石坤桓杨晓东W.M.哈费茨C.蔡
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
申屠伟进
优先权 ：
CN201580081137.7
主分类号 ：
H01L27/06
IPC分类号 ：
H01L27/06 H01L21/768 H01L23/48 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27/04
其衬底为半导体的
H01L27/06
在非重复结构中包括有多个单个组件的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2018-07-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/06
申请日 : 20150622
申请日 : 20150622
2018-03-16 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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