膜层的形成方法
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供一种膜层的形成方法，包括：提供衬底；进行预处理步骤，所述预处理步骤包括提供反应源气体，所述反应源气体在所述衬底上形成附着点；进行沉积步骤，对所述反应源气体进行等离子化形成等离子体，所述等离子体在所述衬底上基于所述附着点沉积，以形成第一膜层。本发明实施例有利于在衬底表面形成更多的附着点，提高沉积速率，快速沉积膜层，提高了膜层的台阶覆盖率，从而提高了膜层的质量。
基本信息
专利标题 ：
膜层的形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114334796A
申请号 ：
CN202011051630.3
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2020-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王中磊
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区空港工业园兴业大道388号
代理机构 ：
上海晨皓知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
成丽杰
优先权 ：
CN202011051630.3
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L21/8242
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20200929
申请日 : 20200929
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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