背侧钻孔嵌入式管芯衬底
授权
摘要

提供了一种设备和制造方法。设备包括具有第一侧和相对的第二侧的衬底、从第一侧在衬底内界定的腔、耦合到腔的底的管芯,该管芯具有在管芯的远离腔的底的一侧上的导电焊盘。可包括耦合到衬底的第二侧的层压层。可穿过设备的层、穿过管芯和穿过导电焊盘一次钻孔。孔穿过层压层(如果存在)、衬底的第二侧、管芯和导电焊盘延伸并被界定在层压层、衬底的第二侧、管芯和导电焊盘内。导电材料设置在孔内并在层压层(如果提供)、衬底的第二侧、管芯和导电焊盘之间并穿过层压层、衬底的第二侧、管芯和导电焊盘延伸。

基本信息
专利标题 :
背侧钻孔嵌入式管芯衬底
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN109075154A
申请号 :
CN201780029547.6
公开(公告)日 :
2018-12-21
申请日 :
2017-03-16
授权号 :
CN109075154B
授权日 :
2022-06-03
发明人 :
D·金J·付C·云C-K·金M·阿尔德利特C·左M·韦莱兹J·金
申请人 :
高通股份有限公司
申请人地址 :
美国加利福尼亚
代理机构 :
永新专利商标代理有限公司
代理人 :
张扬
优先权 :
CN201780029547.6
主分类号 :
H01L23/538
IPC分类号 :
H01L23/538  H01L23/48  H01L21/768  H01L23/498  H01L21/48  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/538
制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构
法律状态
2022-06-03 :
授权
2019-01-15 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/538
申请日 : 20170316
2018-12-21 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN109075154A.PDF
PDF下载
  • 联系电话
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 联系 Q Q
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 关注微信
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332
  • 收藏
    电话:023-6033-8768
    QQ:1493236332