管芯嵌入
授权
摘要
本文提供了管芯嵌入。一种功率半导体器件封装件包括嵌入式功率半导体管芯，其中管芯包括位于管芯正面的第一负载端子和位于管芯背面的第二负载端子，并且其中封装件具有封装件顶侧和封装件占地侧。封装件包括：布置在封装件占地侧处的第一端子接口和第二端子接口，第一端子接口与第一负载端子电连接；具有主腔体的绝缘核心层，其中管芯设置在主腔体中，并且其中主腔体具有腔体侧壁；在腔体侧壁处的导电材料；在主腔体中的绝缘结构，绝缘结构嵌入管芯，其中管芯背面面向封装件顶侧；以及在第二负载端子与第二端子接口之间的电连接，电连接经由在腔体侧壁处的至少导电材料来形成。
基本信息
专利标题 ：
管芯嵌入
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN108573880A
申请号 ：
CN201810208402.9
公开（公告）日 ：
2018-09-25
申请日 ：
2018-03-14
授权号 ：
CN108573880B
授权日 ：
2022-04-15
发明人 ：
P·帕尔姆
申请人 ：
英飞凌科技奥地利有限公司
申请人地址 ：
奥地利菲拉赫
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
郑立柱
优先权 ：
CN201810208402.9
主分类号 ：
H01L21/56
IPC分类号 ：
H01L21/56 H01L23/31
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/50
应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的
H01L21/56
封装，例如密封层、涂层
法律状态
2022-04-15 ：
授权
2018-10-26 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/56
申请日 : 20180314
申请日 : 20180314
2018-09-25 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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