一种制作通孔的方法及制得的器件
授权
摘要
本发明公开一种制作通孔的方法及制得的器件，其中方法包括如下步骤：在器件正面涂覆第一光阻；在待制作通孔的位置进行曝光显影；对器件正面进行离子蚀刻，蚀刻到预设深度的孔后去除第一光阻，在孔内沉积第一金属层；在器件背面溅镀硬掩模；在硬掩模上涂覆第二光阻；在待制作通孔的位置进行曝光显影，在显影处蚀刻硬掩模；对器件背面进行离子蚀刻，蚀刻到第一金属层底面；去除第二光阻，在孔内沉积第二金属层。本方案通过正反面进行蚀刻，从而可以实现制作厚的器件的通孔。以及通过第一金属层底部结构，改变通孔内离子的方向性，使得通孔侧壁更加平滑，提高对通孔形貌的控制能力。
基本信息
专利标题 ：
一种制作通孔的方法及制得的器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110491831A
申请号 ：
CN201910680978.X
公开（公告）日 ：
2019-11-22
申请日 ：
2019-07-26
授权号 ：
CN110491831B
授权日 ：
2022-06-14
发明人 ：
庄永淳吴靖马跃辉黄光伟李立中林伟铭
申请人 ：
福建省福联集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省莆田市涵江区江口镇赤港涵新路3688号
代理机构 ：
福州市景弘专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
徐剑兵
优先权 ：
CN201910680978.X
主分类号 ：
H01L21/768
IPC分类号 ：
H01L21/768 H01L23/528
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/70
由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L21/71
限定在组H01L21／70中的器件的特殊部件的制造
H01L21/768
利用互连在器件中的分离元件间传输电流
法律状态
2022-06-14 ：
授权
2019-12-17 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/768
申请日 : 20190726
申请日 : 20190726
2019-11-22 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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