制作超导器件的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
描述了一种超导器件的制造方法。在一非导电表面上淀积一层超导陶瓷薄膜，且该局部碍超导的陶瓷薄膜，形成分隔两个超导区的势垒膜。这种碍超导效应是采用离子注入技术将一种碍超导元素加入陶瓷膜而进行的。
基本信息
专利标题 ：
制作超导器件的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1052574A
申请号 ：
CN91100272.3
公开（公告）日 ：
1991-06-26
申请日 ：
1988-09-07
授权号 ：
CN1020830C
授权日 ：
1993-05-19
发明人 ：
山崎舜平
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
肖掬昌
优先权 ：
CN91100272.3
主分类号 ：
H01L39/24
IPC分类号 ：
H01L39/24 H01L39/22
法律状态
1997-10-22 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1993-05-19 ：
授权
1991-06-26 ：
公开
1991-06-05 ：
实质审查请求已生效的专利申请
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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