制作超导电路图形的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要

一种制作超导电路图形的方法,其特征在于下列步骤:在基片上淀积开始不显示超导性的复合氧化物材料的薄膜层;向该层所需部位照射聚焦离子束使被照射的部位转变为超导体;在氧离子注入前、中、后对复合氧化物材料进行热处理。所述离子束选自氧离子束、惰性气体离子束以及它们的混合体。所述复合氧化物的结构式为(α1-xβx)CuyOz或D4(E1-q,Cαq)mCunOp+r,其中,α,β分别为IIα或IIIα族元素,而D为Bi或Tl,D为Bi时E为Sr,D为Tl时E为Ba。

基本信息
专利标题 :
制作超导电路图形的方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN1030158A
申请号 :
CN88103912.8
公开(公告)日 :
1989-01-04
申请日 :
1988-05-17
授权号 :
CN1035087C
授权日 :
1997-06-04
发明人 :
藤田顺彦系崎秀夫田中三郎藤森直治今井贵浩原田敬三藤田典之高野悟宫崎健史林器矢津修示上代哲司
申请人 :
住友电气工业株式会社
申请人地址 :
日本大阪市
代理机构 :
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 :
余刚
优先权 :
CN88103912.8
主分类号 :
H01B12/00
IPC分类号 :
H01B12/00  H01L39/12  H01L39/24  
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01B
电缆;导体;绝缘体;导电、绝缘或介电材料的选择
H01B12/00
超导或高导导体、电缆或传输线
法律状态
2003-07-09 :
专利权的终止未缴年费专利权终止
2002-04-24 :
其他有关事项
1997-06-04 :
授权
1990-06-06 :
实质审查请求
1989-01-04 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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