使用不同类型的硅通孔的半导体器件
公开
摘要
一种半导体器件，包括：半导体结构，包括具有带沟道的有源区的半导体衬底；硅通孔(TSV)结构，包括配置为传送电力的电力TSV和配置为传送信号的信号TSV；以及排除区，位于距所述TSV结构的预定距离处并且由所述有源区界定。所述TSV结构穿透所述半导体衬底。所述排除区包括离所述电力TSV第一距离的第一元件区域和离所述信号TSV第二距离的第二元件区域。
基本信息
专利标题 ：
使用不同类型的硅通孔的半导体器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496956A
申请号 ：
CN202111224190.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-10-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金载山禹昇汉李海硕权宁天吴凛
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
纪雯
优先权 ：
CN202111224190.1
主分类号 ：
H01L23/48
IPC分类号 ：
H01L23/48 H01L23/31
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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