半导体器件

专利权的终止

摘要

根据本发明的半导体器件，包括：在其上具有互连的衬底、贴装在衬底上使得其器件形成表面面向衬底的第一半导体芯片和贴装在第一半导体芯片上的第二半导体芯片，其中互连层位于面对所述第二半导体芯片的所述第一半导体芯片的背表面上，并且互连层电连接到所述衬底上的互连。

基本信息

专利标题：

半导体器件

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819188A

申请号：

CN200610004566.7

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-28

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

中岛英树

申请人：

恩益禧电子股份有限公司

申请人地址：

日本神奈川

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司

代理人：

孙志湧

优先权：

CN200610004566.7

主分类号：

H01L25/00

IPC分类号：

H01L25/00 H01L23/488 H01L23/50

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L25/00

由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件

法律状态

2015-03-25 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101602904190
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2006100045667
申请日 : 20060128
授权公告日 : 20090909
终止日期 : 20140128

2010-12-29 ：

专利权人的姓名或者名称、地址的变更

号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101057786751
IPC(主分类) : H01L 25/00
专利号 : ZL2006100045667
变更事项 : 专利权人
变更前 : 恩益禧电子股份有限公司
变更后 : 瑞萨电子株式会社
变更事项 : 地址
变更前 : 日本神奈川
变更后 : 日本神奈川

2009-09-09 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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