三维封装及其形成方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种三维封装及其形成方法。其中的电子器件(60)包括：与第一引线框(64)电连接的第一集成电路(IC)管芯；和与第二引线框(68)电连接的第二IC管芯(66)。通过至少一个柱凸点(72)将第一引线框(64)与第二引线框(68)电连接，其中所述至少一个柱凸点有选择地形成在需要第一引线框(64)与第二引线框(68)之间电连接的地方。用模压化合物(74)包封第一和第二引线框(64)和(68)、第一和第二IC管芯(62)和(66)以及至少一个柱凸点(72)。
基本信息
专利标题 ：
三维封装及其形成方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1835228A
申请号 ：
CN200610004518.8
公开（公告）日 ：
2006-09-20
申请日 ：
2006-01-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
萧喜铭王飞莹周安乐
申请人 ：
飞思卡尔半导体公司
申请人地址 ：
美国得克萨斯
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200610004518.8
主分类号 ：
H01L25/00
IPC分类号 ：
H01L25/00 H01L23/495 H01L23/31 H01L21/60 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
法律状态
2018-02-09 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 25/00
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20170125
申请日 : 20060125
授权公告日 : 20090722
终止日期 : 20170125
2009-07-22 ：
授权
2008-02-13 ：
实质审查的生效
2006-09-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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