利用硅通孔接点的CMOS图像传感器晶片层级封装及其制造方...
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
本发明是关于一种利用硅通孔接点的CMOS图像传感器晶片层级封装及其制造方法。此CMOS图像传感器晶片层级封装包括：一晶片，其上有多个图像传感器(包括数个电极接垫)形成；一透明基板，其是黏附在该晶片的正面；一通孔，其是从该晶片的背面贯穿到在该正面数个电极接垫下方而形成；一钝化层，其是在除了该通孔内的该数个电极接垫的下方以及整个该晶片的背面以外的其余部位形成；一通孔接点，其是在该通孔内形成；及一焊锡凸块，其是在该晶片背面的该通孔接点上形成。
基本信息
专利标题 ：
利用硅通孔接点的CMOS图像传感器晶片层级封装及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101356645A
申请号 ：
CN200580051818.5
公开（公告）日 ：
2009-01-28
申请日 ：
2005-10-11
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朴太錫金龙成
申请人 ：
朴太锡
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
陆嘉
优先权 ：
CN200580051818.5
主分类号 ：
H01L27/146
IPC分类号 ：
H01L27/146
法律状态
2010-12-29 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
号牌文件类型代码 : 1603
号牌文件序号 : 101058188779
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005800518185
公开日 : 20090128
号牌文件序号 : 101058188779
IPC(主分类) : H01L 27/146
专利申请号 : 2005800518185
公开日 : 20090128
2009-03-25 ：
实质审查的生效
2009-01-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
