具有用于感测元件的晶片级芯片规模封装的方法和设备

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

本发明提出了制造传感器(100)的方法。该方法包括：在晶片上沉积第一预定厚度的牺牲材料(330)，该晶片具有安装于其上的至少一个感测元件，所述牺牲材料至少部分地沉积在所述至少一个感测元件上；在晶片上并且围绕着所沉积的牺牲材料形成第二预定厚度的密封层(332)，该第二预定厚度小于所述第一预定厚度；和去除所述牺牲材料。还提出了按照前述方法制造传感器的设备。

基本信息

专利标题：

具有用于感测元件的晶片级芯片规模封装的方法和设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN101065826A

申请号：

CN200580040074.7

公开（公告）日：

2007-10-31

申请日：

2005-12-14

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

威廉·G·麦克都纳德斯蒂芬·R·霍泊尔阿尔温德·S·萨利安

申请人：

飞思卡尔半导体公司

申请人地址：

美国得克萨斯

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

杜娟

优先权：

CN200580040074.7

主分类号：

H01L21/00

IPC分类号：

H01L21/00