一种减小凸块底切的结构
授权
摘要
本实用新型公开了半导体集成电路领域内的一种减小凸块底切的结构及其制造方法，结构包括基板，所述基板上设置有至少一个铝垫，基板表面还设置有覆盖各铝垫的保护层，保护层上对应每个铝垫均设有一个开口，所述铝垫通过对应开口暴露出部分表面，与所述开口相对应的铝垫上方以及开口周围的保护层上方均覆盖设置有阻障层，所述阻障层上方设置有种子层，种子层上方设置有凸块，所述保护层表面位于每个所述阻障层的周围均对应设置有侧挡隆起，侧挡隆起围绕在对应阻障层周围设置，所述侧挡隆起顶部所在平面位于凸块边缘的下方。本实用新型能够减小或消除凸块下方形成的底切结构，避免芯片受应力作用导致凸块脱落，提高芯片凸块结构的可靠性。
基本信息
专利标题 ：
一种减小凸块底切的结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020224706.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-02-28
授权号 ：
CN211350631U
授权日 ：
2020-08-25
发明人 ：
时庆楠
申请人 ：
江苏汇成光电有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区高新技术产业开发区金荣路19号
代理机构 ：
南京苏科专利代理有限责任公司
代理人 ：
王峰
优先权 ：
CN202020224706.7
主分类号 ：
H01L23/488
IPC分类号 ：
H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/48
用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置
H01L23/488
由焊接或黏结结构组成
法律状态
2020-08-25 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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