半导体装置
实质审查的生效
摘要
本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种半导体装置，包括：半导体衬底，所述半导体衬底上形成有芯片区以及切割线区；第一密封环，设置在所述芯片区与所述切割线区之间，所述第一密封环围绕所述芯片区而设；其中，所述第一密封环内形成有垂直自然电容器，将垂直自然电容器集成在密封环内，使得芯片的集成度更高，节约了空间，达到了芯片的小型化。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446898A
申请号 ：
CN202011232472.1
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2020-11-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
柳圣浩张欣杨涛赵劼
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011232472.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/528 H01L23/64
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20201106
申请日 : 20201106
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
