半导体装置
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种在不扩大半导体模块的外形的情况下具有较高散热性和可靠性的半导体装置。半导体装置(101)中，定位突起(10)形成在密封树脂(8)的有主电极布线(6、7)的一端部突出的侧面(8b)上。因此，与在密封树脂(8)的底部(8a)上形成定位突起的情况相比，能够减小密封树脂(8)的外形。此外，由于厚度限制突起(9)设置成在其和焊料(30)之间具有空间(12)，所以能够防止以厚度限制突起(9)和焊料(30)之间的接触部为起点产生的界面剥离或裂纹，并且能够确保半导体模块(20)和冷却器(40)之间的接合部的寿命。因此，能在不扩大半导体模块(20)的外形的情况下，获得具有高散热性和可靠性的半导体装置(101)。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446899A
申请号 ：
CN202111226938.1
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2021-10-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
早柏公贵石井隆一吉井大
申请人 ：
三菱电机株式会社
申请人地址 ：
日本东京
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞丹
优先权 ：
CN202111226938.1
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/498
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20211021
申请日 : 20211021
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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