半导体装置及制造半导体装置的方法
实质审查的生效
摘要
半导体装置及制造半导体装置的方法。示例性半导体装置可包括晶粒、再分配结构、互连、传导带、囊封剂和EMI屏蔽。所述再分配结构可包括耦合到所述晶粒底侧的RDS顶表面。所述互连可以耦合到所述RDS底表面。所述传导带可以耦合到所述RDS，并且可以包括耦合到所述RDS底表面的带内端以及定位成低于所述RDS底表面的带外端。所述囊封剂可以囊封所述传导带和所述RDS底表面。所述EMI屏蔽可以覆盖且接触所述囊封剂侧壁和所述带外端。本文还公开了其他范例和相关方法。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及制造半导体装置的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496940A
申请号 ：
CN202210140689.2
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2018-12-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金何松高永范金俊东金东尚欧尚松
申请人 ：
艾马克科技公司
申请人地址 ：
美国亚利桑那州
代理机构 ：
北京银龙知识产权代理有限公司
代理人 ：
李红标
优先权 ：
CN202210140689.2
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L23/552 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/31
申请日 : 20181214
申请日 : 20181214
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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