半导体装置及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供一种半导体装置及其制造方法。在COF等的半导体装置中，在形成了配线图案的膜状的挠性配线基板上搭载有半导体芯片。在挠性配线基板与半导体元件的缝隙之间填充有用于保护半导体芯片的密封树脂。在用喷嘴描画半导体芯片的长边侧并填充密封树脂时形成的描画涂敷痕迹的树脂的宽度为0.1～1.0mm，而且，描画涂敷痕迹的树脂的厚度小于或等于10μm。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1862792A
申请号 ：
CN200610006835.3
公开（公告）日 ：
2006-11-15
申请日 ：
2006-02-05
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
福田和彦丰泽健司
申请人 ：
夏普株式会社
申请人地址 ：
日本大阪市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
浦柏明
优先权 ：
CN200610006835.3
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2017-03-29 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101709595699
IPC(主分类) : H01L 23/31
专利号 : ZL2006100068353
申请日 : 20060205
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20160205
号牌文件序号 : 101709595699
IPC(主分类) : H01L 23/31
专利号 : ZL2006100068353
申请日 : 20060205
授权公告日 : 20090819
终止日期 : 20160205
2009-08-19 ：
授权
2007-01-10 ：
实质审查的生效
2006-11-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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