半导体装置及半导体装置的制造方法
授权
摘要
本发明的半导体装置具备：具有钝化膜的半导体芯片；设在所述钝化膜上且用于密封所述半导体芯片的表面侧的密封树脂层。所述密封树脂层蔓延到所述钝化膜的侧面，且被覆该侧面。
基本信息
专利标题 ：
半导体装置及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN102306635A
申请号 ：
CN201110266920.4
公开（公告）日 ：
2012-01-04
申请日 ：
2005-11-16
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
宫田修葛西正树樋口晋吾
申请人 ：
罗姆股份有限公司
申请人地址 ：
日本京都府
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
刘建
优先权 ：
CN201110266920.4
主分类号 ：
H01L23/31
IPC分类号 ：
H01L23/31 H01L21/56
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/28
封装，例如密封层、涂覆物
H01L23/31
按配置特点进行区分的
法律状态
2015-09-09 ：
授权
2012-02-22 ：
实质审查的生效
号牌文件类型代码 : 1604
号牌文件序号 : 101190915154
IPC(主分类) : H01L 23/31
专利申请号 : 2011102669204
申请日 : 20051116
号牌文件序号 : 101190915154
IPC(主分类) : H01L 23/31
专利申请号 : 2011102669204
申请日 : 20051116
2012-01-04 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
