多级互连结构及在IC晶片上形成Cu互连的方法

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种方法，用于在沉积级间介质或介质扩散阻挡层之前，用1－5nm厚的元素涂覆Cu镶嵌线的自由表面。该涂层提供防氧化保护，增加Cu和介质之间的粘附强度，并减小Cu的界面扩散。另外，薄覆盖层进一步增加了电迁移Cu寿命并减小了应力产生空隙。选定元素可以直接沉积在嵌入下层介质中的Cu上，而不引起Cu线之间的电短路。这些选定元素基于它们与氧和水的高负还原电势，和在Cu中的低溶解度并能与Cu形成化合物。

基本信息

专利标题：

多级互连结构及在IC晶片上形成Cu互连的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1825583A

申请号：

CN200610001263.X

公开（公告）日：

2006-08-30

申请日：

2006-01-12

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

J·布吕莱R·A·卡拉瑟斯L·M·吉纳克胡朝坤E·G·利宁格S·G·马尔霍特拉S·M·罗斯纳格尔

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610001263.X

主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/768

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/532

按材料特点进行区分的

法律状态

2019-12-27 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20060112
授权公告日 : 20080806
终止日期 : 20190112

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/532
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更后权利人 : 格芯公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 开曼群岛大开曼岛

2017-11-21 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移IPC(主分类) : H01L 23/532
登记生效日 : 20171101
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 格芯美国第二有限责任公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国纽约

2008-08-06 ：

授权

2006-10-25 ：

实质审查的生效

2006-08-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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