基于钴的互连及其制造方法
实质审查的生效
摘要
实施例包括金属互连结构，所述金属互连结构包括：设置在衬底上的电介质层；所述电介质层中的开口，其中，所述开口具有侧壁并且暴露所述衬底和互连线的至少其中之一的导电区；设置在所述导电区之上和所述侧壁上的粘附层，所述粘附层包括锰；以及所述开口内和所述粘附层的表面上的填充材料，所述填充材料包括钴。本文中描述了其它实施例。
基本信息
专利标题 ：
基于钴的互连及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114361132A
申请号 ：
CN202210020138.2
公开（公告）日 ：
2022-04-15
申请日 ：
2015-02-21
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C·J·杰泽斯基T·K·因杜库里R·V·谢比亚姆C·T·卡弗
申请人 ：
英特尔公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚
代理机构 ：
永新专利商标代理有限公司
代理人 ：
林金朝
优先权 ：
CN202210020138.2
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2022-05-03 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 23/532
申请日 : 20150221
申请日 : 20150221
2022-04-15 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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