一种制造方法，包括：在衬底(2)的晶体表面上形成非晶材料的掩模(10)，该掩模具有开口图案，开口图案限定有源区的区域，一个或多个有源设备的一个或多个组件在有源区的区域中将要被形成，该掩模还限定非有源区，有源设备在非有源区中不被形成；以及通过外延生长过程，形成穿过掩模的沉积材料(4)。因此，沉积材料在有源区的开口中形成。穿过掩模的开口图案还包括在非有源区中形成的一个或多个存储区(8)，存储区中的每个存储区通过掩模中的开口图案被连接到有源区中的区域中的至少一个区域，并且作为外延生长的一部分，沉积材料在存储区中形成。