信号线、有该信号线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种用于提供包括铜合金的信号线的系统和技术，所述铜合金包括钼、钨和铬中的至少一种。本公开提供薄膜晶体管阵列面板，包括：绝缘基板；形成在该绝缘基板上的栅极线；形成在该栅极线上的栅极绝缘层；形成在该栅极绝缘层上的半导体层；形成在该栅极绝缘层和该半导体层上的欧姆接触；具有形成在该欧姆接触之一上且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的源极电极的数据线；以其间一间隙对着该源极电极且具有比其下的欧姆接触窄的宽度的漏极电极；以及连接至所述漏极电极的象素电极，其中所述栅极线和所述数据线中的至少一种包括Cu合金，所述Cu合金包括Cu以及选自含有钼(Mo)、钨(W)和铬(Cr)的组的一种。
基本信息
专利标题 ：
信号线、有该信号线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1828886A
申请号 ：
CN200610006610.8
公开（公告）日 ：
2006-09-06
申请日 ：
2006-01-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许成权闵勋基姜镐民李仁成洪性秀安基完
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
李晓舒
优先权 ：
CN200610006610.8
主分类号 ：
H01L23/532
IPC分类号 ：
H01L23/532 H01L27/12 H01L21/84 H01L21/283 H01L21/768
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/52
用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置
H01L23/522
包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的
H01L23/532
按材料特点进行区分的
法律状态
2011-03-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/532
专利号 : ZL2006100066108
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20100228
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101061089374
专利号 : ZL2006100066108
申请日 : 20060126
授权公告日 : 20090729
终止日期 : 20100228
号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101061089374
2009-07-29 ：
授权
2008-03-19 ：
实质审查的生效
2006-09-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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