介质材料及其制造方法

专利申请权、专利权的转移

摘要

本发明提供了一种低k介质材料，用于包括互连和传感结构的电子结构中，具有增强的内聚强度，包括Si、C、O和H原子，其中部分C原子键合为Si－CH₃官能团，以及另一部分C原子键合为Si－R－Si、－[CH₂]_n－、HC＝CH、C＝CH₂、C≡C或[S]_n联接，其中R是苯基，n大于或等于1。

基本信息

专利标题：

介质材料及其制造方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1819180A

申请号：

CN200610002175.1

公开（公告）日：

2006-08-16

申请日：

2006-01-18

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

D·C·埃德尔斯坦S·M·盖茨A·格里尔M·莱恩R·D·米勒D·A·诺伊迈尔S·V·恩古源

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

北京市中咨律师事务所

代理人：

于静

优先权：

CN200610002175.1

主分类号：

H01L23/532

IPC分类号：

H01L23/532 H01L21/312 H01L21/768 H01B3/18

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/52

用于在处于工作中的器件内部从一个组件向另一个组件通电的装置

H01L23/522

包含制作在半导体本体上的多层导电的和绝缘的结构的外引互连装置的

H01L23/532

按材料特点进行区分的

法律状态

2014-09-17 ：

专利申请权、专利权的转移

专利权的转移号牌文件类型代码 : 1602
号牌文件序号 : 101705235684
IPC(主分类) : H01L 23/532
专利号 : ZL2006100021751
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 国际商业机器公司
变更后权利人 : 英特尔公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 美国纽约
变更后权利人 : 美国加利福尼亚州
登记生效日 : 20140825

2009-09-09 ：

授权

2006-10-11 ：

实质审查的生效

2006-08-16 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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