本申请提供了一种半导体器件、其制作方法以及3D NAND存储器，该半导体器件包括衬底、绝缘层以及导电层，其中，衬底的表面上具有凹槽，绝缘层位于衬底的表面上、凹槽的底部以及凹槽的侧壁上；导电层位于绝缘层的远离衬底的表面上。本申请的半导体器件，通过在衬底上形成具有多个沟槽的三维图形，这样使得覆盖在衬底上的导电层具有三维结构，即形成了三维结构的电容器，保证了半导体器件的有效面积不变的情况下，其在半导体器件上的占用面积较小，保证了半导体器件的集成密度较大，从而缓解了电容器对半导体器件的尺寸缩小的限制问题。