一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法
授权
摘要
本发明提供一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法，包括：P型基底、N型阱区、P型阱区、栅极结构、N型源区、P型基材层、N型掺杂区、介质层及源区电极。介质层中形成有源区接触窗口，源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区。本发明相比于传统工艺能节省一次掩膜的制作，可有效降低工艺成本。本发明的源区接触窗口仅显露N型源区的中部区域，将源区接触窗口显露的N型源区的中部区域反型形成P型接触区后，P型接触区的两侧均保留有部分N型源区，可以有效降低器件的导通电阻，提高器件的驱动电流。同时，本发明可有效提高静电保护结构的工艺效率，降低制作成本。
基本信息
专利标题 ：
一种包含静电保护结构的半导体开关器件及其制作方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110729286A
申请号 ：
CN201810783201.1
公开（公告）日 ：
2020-01-24
申请日 ：
2018-07-17
授权号 ：
CN110729286B
授权日 ：
2022-05-03
发明人 ：
王凡
申请人 ：
上海宝芯源功率半导体有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区浦东盛夏路560号219室
代理机构 ：
上海光华专利事务所(普通合伙)
代理人 ：
罗泳文
优先权 ：
CN201810783201.1
主分类号 ：
H01L27/02
IPC分类号 ：
H01L27/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27/00
由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27/02
包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
法律状态
2022-05-03 ：
授权
2020-02-25 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 27/02
申请日 : 20180717
申请日 : 20180717
2020-01-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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